Các nguồn tin cho biết, NSR-S636E là máy phơi sáng của Nikon sử dụng thiết kế iAS nâng cao, có thể được srw dụng để đo lường có độ chính xác cao, hiệu chỉnh cong vênh và biến dạng hình tròn, đồng thời có độ chính xác lớp phủ (MMO) cao hơn, được cho là không quá 2,1 nm. Độ phân giải dưới 38 nm, khẩu độ ống kính là 1,35 và vùng phơi sáng là 26x33 mm.

Chiếc máyNSR-S636E của Nikon.

So với mẫu hiện tại, hiệu suất sản xuất tổng thể của nó có thể tăng 10-15%, thiết lập một đỉnh cao mới cho thiết bị in thạch bản của Nikon. Máy có thể tạo ra 280 tấm bán dẫn mỗi giờ và có thời gian ngừng hoạt động ngắn hơn.

Nikon cũng cho biết, máy in thạch bản mới có thể mang lại hiệu suất cao hơn trong sản xuất chất bán dẫn đòi hỏi độ chính xác lớp phủ cao, đặc biệt là sản xuất chất bán dẫn 3D như logic và bộ nhớ tiên tiến, cảm biến hình ảnh CMOS và bộ nhớ flash 3D và có thể được xem là giải pháp tốt nhất. Đáng chú ý, điều này diễn ra mà không làm giảm hiệu quả sản xuất.

Nguồn sáng của máy in thạch bản mới từ Nikon là i-Line, công nghệ đã phát triển từ những năm 1990. Cùng với sự trưởng thành của các bộ phận và công nghệ liên quan, giá thành của máy in này sẽ rẻ hơn khoảng 20-30% so với các sản phẩm đối thủ. Mặc dù vậy, vẫn chưa rõ NSR-S636E có thể sản xuất được chip bao nhiêu nanomet.

Các công ty Nhật đang tìm cách rút ngắn khoảng cách với ASML.

Nikon, Canon của Nhật Bản và ASML của Hà Lan từng là 3 gã khổng lồ về máy in thạch bản, nhưng do chọn sai giải pháp công nghệ và không theo kịp công nghệ in thạch bản nhúng 193nm của ASML nên các công ty Nhật Bản dần sa sút, đặc biệt là ở công nghệ in thạch bản tia cực tím (EUV).

Để tồn tại, Nikon và Canon về cơ bản đã từ bỏ việc cạnh tranh về công nghệ in thạch bản tiên tiến và tập trung nhiều hơn vào các thiết bị in thạch bản quy trình trưởng thành, dễ sản xuất hơn và rẻ hơn. Ngoài ra, Canon cũng đã phát triển công nghệ in nano (NIL) để sản xuất chip 5nm không cần EUV.